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Die p-Leitung ist eine Form der Störstellenleitung, die auf der gerichteten Bewegung von Defektelektronen (Löchern) beruht. Sie wird durch Dotieren von Silicium (4-wertig) mit 3-wertigen Atomen erreicht, die über drei Außenelektronen verfügen. Werden diese Atome in das Halbleitergitter eingefügt, dann verbleibt an der Einbindungsstelle im Kristallgitter ein freier Elektronenplatz, der als Defektelektron (Loch) für Leitungsvorgänge zur Verfügung steht.

Als Dotieren bezeichnet man den Einbau von Fremdatomen in den atomaren Gitterverbund von Halbleitern. Dadurch kann man gezielt die elektrische Leitung in Halbleitern, die sowohl auf der Elektronen- als auch auf der Löcherleitung beruht, beeinflussen.