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Die n-Leitung ist eine Form der Störstellenleitung, die auf der gerichteten Bewegung freier Elektronen beruht. Sie wird durch Dotieren von Silicium (4-wertig) mit 5-wertigen Atomen erreicht, die über fünf Außenelektronen verfügen. Werden diese Atome in das Halbleitergitter eingefügt, dann kann ein Elektron nicht mehr gebunden werden. Es bewegt sich frei im Kristallgitter und steht für den elektrischen Leitungsvorgang zur Verfügung.

Die p-Leitung ist eine Form der Störstellenleitung, die auf der gerichteten Bewegung von Defektelektronen (Löchern) beruht. Sie wird durch Dotieren von Silicium (4-wertig) mit 3-wertigen Atomen erreicht, die über drei Außenelektronen verfügen. Werden diese Atome in das Halbleitergitter eingefügt, dann verbleibt an der Einbindungsstelle im Kristallgitter ein freier Elektronenplatz, der als Defektelektron (Loch) für Leitungsvorgänge zur Verfügung steht.