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n-Leitung

Die n-Leitung ist eine Form der Störstellenleitung, die auf der gerichteten Bewegung freier Elektronen beruht. Sie wird durch Dotieren von Silicium (4-wertig) mit 5-wertigen Atomen erreicht, die über fünf Außenelektronen verfügen. Werden diese Atome in das Halbleitergitter eingefügt, dann kann ein Elektron nicht mehr gebunden werden. Es bewegt sich frei im Kristallgitter und steht für den elektrischen Leitungsvorgang zur Verfügung.

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p-Leitung

Die p-Leitung ist eine Form der Störstellenleitung, die auf der gerichteten Bewegung von Defektelektronen (Löchern) beruht. Sie wird durch Dotieren von Silicium (4-wertig) mit 3-wertigen Atomen erreicht, die über drei Außenelektronen verfügen. Werden diese Atome in das Halbleitergitter eingefügt, dann verbleibt an der Einbindungsstelle im Kristallgitter ein freier Elektronenplatz, der als Defektelektron (Loch) für Leitungsvorgänge zur Verfügung steht.

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Integrierte Schaltung

Integrierte Schaltungen sind mikroelektronische Bauelemente, bei denen auf einem Halbleitermaterial durch Dotieren sehr viele Transistoren, Dioden, Widerstände oder andere Funktionsteile einschließlich ihrer Verbindungen aufgebracht wurden. Als Halbleiter wird oft Silicium verwandt, dem man die Form eines flachen rechteckigen Plättchens verleiht. Dieses Plättchen ist der Chip.

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Dotieren

Als Dotieren bezeichnet man den Einbau von Fremdatomen in den atomaren Gitterverbund von Halbleitern. Dadurch kann man gezielt die elektrische Leitung in Halbleitern, die sowohl auf der Elektronen- als auch auf der Löcherleitung beruht, beeinflussen.

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Leitung in Halbleitern

Halbleiter sind Stoffe, die bezüglich ihrer elektrischen Leitfähigkeit zwischen der von Isolatoren und der von Leitern liegen. Ihre breite technische Nutzung begann nach der Entdeckung des Transistoreffekts (1948). Ohne die Halbleiterelektronik sind moderne technische Geräte nicht denkbar. Die physikalischen Grundlagen dafür sind elektrische Leitungsvorgänge in Halbleitermaterialien wie Germanium und Silicium, wobei deren Leitfähigkeit durch den gezielten Einbau von Fremdatomen (Dotieren) in weiten Grenzen beeinflusst werden kann. Heute existieren eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen für die unterschiedlichsten Anwendungen.

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